产品介绍：感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积、深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）、



BM8-III 感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积系统

高性能深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统



BM8-III感应耦合等离子（ICP）处理系统是一款全新定义深反应离子刻蚀（DRIE）及低温低损伤 等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。

该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统基于模块化设计制造，采用一款通用的真空处理舱及机柜。等离子处理系统采用感应耦合等离子（ICP）电极及底部沉积电极模块化设计理念，方便整体感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积系统的组装及配置。

该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统带给用户方便操作，提供多种等离子处理工艺、方便维护及性价比高的系统比业内其它感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统更具竞争力。



感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统主要性能简介

等离子工艺处理的研发需要多功能且可靠的等离子处理设备。为了满足等离子研究日新月异的要求，用户选购的系统设备满足最大范围的等离子工艺参数需要、工艺验证需要极其高的可重复性、必须方便改造用于新的等离子工艺需要。我们相信BM8-III感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统满足这些非常苛刻的要求。

BM8-III是一款用于研究、工艺开发及其小批量生产的感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统工具，用于最大八英寸（203mm）基片的精密等离子刻蚀及沉积。该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统也可以容纳处理多块晶圆片。

在设计BM8-III感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统之初，主导指示就是创造一款融合高质量、可靠、重复性及其用于生产系统的工艺控制能力为一体的等离子系统；同时极大的降低主机成本、维护成本及占地面积小等要求。

BM8-III感应耦合等离子（ICP）处理系统具有独特的机体结构和电极设计，方便安装在层流模块中或是超净间。感应耦合等离子（ICP）处理系统的建造采用高质量认可的部件、模块化装配、